Chất nền epitaxy silicon

Chất nền epitaxy silicon

Những chất nền epitaxy silicon này được gia công tỉ mỉđược thiết kế để tăng trưởng lớp epitaxy, đóng vai trò là mẫu tinh thể có độ tinh khiết cao-để tích hợp thiết bị Nguồn và Logic nâng cao. Được thiết kế bằng cách sử dụng trình tự kéo Czochralski (CZ) chính xác và đánh bóng siêu sạch, chất nền của chúng tôi đảm bảo môi trường bề mặt không khoan nhượng. Độ mịn ở cấp độ nguyên tử-này là yêu cầu cơ bản để đạt được-sự lắng đọng đồng trục và dị thể chất lượng cao trong thế hệ chất bán dẫn tiếp theo.

Bề mặt được tối ưu hóa để lắng đọng-chất lượng cao:cácbề mặt được kiểm soát và hướng tinh thểđược tối ưu hóa để cung cấp một môi trường tạo mầm lý tưởng. Bằng cách quản lý chặt chẽ cácTắt{0}}góc cắt(định hướng sai) với độ chính xác đến từng mili độ, chúng tôi tạo điều kiện thuận lợi cho cơ chế phát triển dòng chảy theo từng bước. Điều này giảm thiểu sự không khớp mạng và ngăn ngừa sự hình thành các lỗi xếp chồng và trật khớp ren, điều này cần thiết để ổn định các đặc tính điện của lớp epi{2}}tiếp theo.

Điện trở suất được kiểm soát để cách ly thiết bị:Được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng Power IC và Analog, các chất nền này cung cấptính chất vật liệu ổn địnhvới một hồ sơ dopant có tính đồng nhất cao. Điều này cho phép kiểm soát chính xác giao diện chất nền-với-epi, tăng cường khả năng cách ly thiết bị và giảm điện dung ký sinh trong môi trường-tần số cao và điện áp{4}}cao.

Khả năng phục hồi nhiệt có độ tinh khiết cao-:Mỗi chất nền được điều chỉnh bởi dung sai cứng nhắc đối với oxy xen kẽ và tạp chất kim loại để ngăn chặn sự-tự động pha tạp và cong vênh do nhiệt gây ra. Độ bền cơ học vượt trội của nóhỗ trợ nhiều bước xử lý với sự thay đổi tối thiểu, duy trì độ trung thực hình học trong các chu trình CVD (Lắng đọng hơi hóa học) ở nhiệt độ cao- và quá trình xử lý nhiệt nhanh (RTP).

Chú phổ biến: chất nền epit Wax silicon, nhà sản xuất, nhà cung cấp, nhà máy chất nền silicon Trung Quốc